铸造多晶硅的等温热处理研究

铸造多晶硅的等温热处理研究(含任务书,开题报告,外文翻译,毕业论文11000字,答辩PPT)
摘  要
铸造多晶硅在太阳电池制造加热后的连续冷却过程中会产生少子寿命热衰减，从而降低多晶硅太阳电池的光电转换效率。为了消除多晶硅材料在太阳电池制造中的少子寿命热衰减，研究等温冷却工艺对多晶硅片的电学性能的影响尤为重要。本文研究了等温冷却工艺的等温温度、等温时间对多晶硅电学性能和间隙铁含量的影响。试验结果表明：相对于连续冷却，等温冷却可降低多晶硅片少子寿命的热衰减；多晶硅片经900 ℃加热后以等温冷却方式冷却，经650 oC等温可最大限度地降低其少子寿命的热衰减，并且等温时间越长，少子寿命越大。

关键词：铸造多晶硅；等温冷却；少子寿命；间隙铁含量
 
Research on isothermal heat treatment of cast multicrystalline silicon
Abstract
The continuous cooling of the thermal process in the solar cell manufacture of multicrystalline silicon lead minority-carrier lifetime thermal degradation and reduce the efficiency of cast multicrystalline silicon solar cell. In order to reduce or eliminate thermal degradation of minority carrier lifetime of cast multicrystalline silicon, it is important to study the effect of isothermal cooling on the electrical properties of cast multicrystalline silicon wafers. The effect of isothermal temperature and isothermal time in isothermal cooling process on electrical properties and interstitial iron content were studied. The results show that, compare with the continuous cooling, isothermal cooling can reduce the thermal degradation of minority carrier lifetime of cast multicrystalline silicon, the thermal degradation of minority carrier lifetime of silicon wafer after heating at 900 ℃ and isothermal cooling at 650 ℃ can be reduced at most , and the longer of isothermal time, the longer of minority carrier lifetime of wafer.

Key words：cast multicrystalline silicon；isothermal heat treatment； minority carrier lifetime；interstitial iron content
   
本课题的研究内容
本实验研究在不同等温温度以及相同等温温度不同等温时间下少子寿命和间隙铁含量的变化，通过对比未处理前的数据进行比较分析得到少子寿命受影响最低的等温温度及等温时间，最大程度的减小杂质对它的影响，进而改进多晶硅的制作工艺，降低制作成本，提高电池光电转换效率。
影响电池的光电转换效率因素很多，本课题旨在研究不同等温冷去条件下对多晶硅片少子寿命的影响。间隙铁含量和少子寿命都是太阳电池硅片的电学性能的主要表征。通过仪器测量出间隙铁含量和少子寿命，对比热处理前的数据，总结出温度对多晶硅片电学性能的影响。
 

目录
摘  要    3
Abstract    4
1 引言    5
1.1 光伏行业对于能源危机的意义    5
1.2国内外的太阳电池研究及发展现状    6
1.3多晶硅片的等温热处理研究意义    8
1.4本课题的研究内容    9
2 实验方法    10
2.1 准备实验材料    10
2.1.1 实验材料    10
2.1.2 对试样进行前期处理    10
2.2实验方案    10
2.3实验设备    11
2.3.1激光切割机    11
2.3.2四探针电阻率测试仪    11
2.3.3少子寿命的测试仪    11
2.3.4快速热处理炉    11
2.4测试原理    11
2.4.1电阻率的测试    11
2.4.2间隙铁含量的测试    12
2.4.3少子寿命的测试    12
2.5实验操作    13
2.5.1获取硅片    13
2.5.2硅片的预处理    13
2.5.3数据测试    13
3.1. 等温冷却与连续冷却对多晶硅片少子寿命的影响    15
3.2不同等温温度对多晶硅片电学性能的影响    16
3.2.1不同等温温度对多晶硅片少子寿命的影响    16
3.2.2不同等温温度对多晶硅片间隙铁含量的影响    18
3.3不同的等温时间对多晶硅片电学性能的影响    19
3.3.1不同等温时间对少子寿命的影响    19
3.3.2不同等温时间对多晶硅片间隙铁含量的影响    21
4 结论    22
参考文献    23
致  谢    24