一个关于霍尔传感器温度补偿的研究

一个关于霍尔传感器温度补偿的研究(中文1800字,英文PDF)
摘要：霍尔传感器是基于霍尔效应的。因为电场的原因，半导体都是在内部进行的。由于外部磁场的存在，洛伦兹力迫使原始电子做短距离的定向移动而累积在半导体的一边。一个成为霍尔电动势的电动势就是这样由来的。从理论上讲，测量磁场是可以实现的。但是，半导体的传导率和漂移特性是很容易被温度影响的。霍尔传感器的内阻和输出随温度的改变而改变。本文研究了霍尔传感器的温度特性。在这时候，设计和使用一个温度补偿电路可以减少温度造成的影响，这可以使输出更加精确。